【产业新讯】存储行业市场动向早知道

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电幽棍

2020-08-27 01:15:15
2020年是特殊的一年,对于存储行业而言,这是个承上启下之年,跌了大半年的存储产品,自2020年11月份开始,开始逆势上扬,现货市场“涨声一片”,不管是DRAM,还是NAND等产品。
2021年开局,在全球晶圆代工极度紧张的形势下,存储行业整体涨势仍不减,不光面临因原材料紧缺导致的成本上涨,而且供需依旧难以平衡,供货严重不足。
一起来看看存储大厂都有哪些新动向。

由于冬季寒潮,三星位于德州奥斯汀的晶圆厂S2产线部分停工。尽管停电对NAND Flash控制器制造的影响有限,停电仍将导致交期略为延长。
KIOXIA和Western Digital宣布了他们的BiCS 3D NAND技术的第六代产品,其162层与BiCS 5的112层相比,晶粒(die)缩小了近40%。
SK Hynix在Intel的闪存业务上投资了90亿美元,包括NAND零组件和中国大连的晶圆厂等NAND SSD相关业务。
镁光将亚洲作为其NAND Flash的市场战略中心,利用新加坡政府的支持,以追赶实力雄厚的竞争对手。镁光在去年11月时就表示,将在新加坡的工厂开始量产全球首款176层NAND Flash芯片。
KIOXIA已开发出约170层的NAND Flash产品,希望利用因5G无线技术高速率传输特性所带来的数据中心和智能手机等需求。
Intel已同意将所有NAND Flash相关业务出售给SK Hynix ,除了与镁光合作开发的先进Optane存储技术之外。


闪存2020-2021年供给/满足率

  • 满足率:供不应求将持续至2021年底
  • 库存:低于正常水平线
  • 价格趋势: 晶圆/IC价格逐渐上涨
  • 控制器的短缺已对SSD FG交期产生冲击

(点击查看大图)

以产品类别分析NAND Flash需求比重

  • 手持产品对NAND Flash的需求比重到2021年底将达40% 

(点击查看大图)

DRAM现货价走势 (2020年Q4到2021年Q4)
  • DRAM价格: 持续大幅上涨
  • 库存: 相当紧张,进入配货时代
  • 涨价因素: D4/D3从低点算起,涨幅已经有30%-40%左右
(点击查看大图)

2021年DRAM产业展望

各原厂对2021年的DRAM产业均呈正面看法:

第四季度DRAM bit出货量环比上涨10%。展望2021年第一季度,三星认为新的5G手机上市,以及向中低端普及,移动市场需求有望持续提升,同时服务器市场经过库存调整后,资本支出将会增加,采购需求将改善,再加上笔记本市场需求仍将强劲,有助于DRAM业务。

因为数据中心和企业领域需求疲软,镁光企业级DRAM收入从2020财年Q4就开始持续下滑,但是镁光认为DRAM已经过了谷底,再加上客户端和数据中心模块中16Gb的采用率有所提高,预计2021年DRAM行业需求增长将达到15%以上。而DRAM行业bit供应量由于2020年原厂严控资本支出而低于需求。

2020年第四季度DRAM bit出货量环比增长11%。展望2021年,SK海力士认为数据中心投资将推动服务器产品的需求增加,同时5G智能手机出货需求预计仍将保持增长的趋势,DRAM行业增幅在20%左右。


综观涨价因素

  • 半导体芯片短缺
  • 控制器芯片短缺
  • 零组件短缺(电容、电阻)
  • 封装产能受限
  • DRAM IC供应短缺
  • NAND Flash芯片短缺
(点击查看大图)

END


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