台积电将建新研发中心 8000工程师攻关2nm

在8月25日开幕的台积电技术论坛上，台积电公布了5nm、4nm、3nm工艺的进展，包括CEO魏哲家在内的多位重要高管出席会议。此外，台积电还宣布将建立新的研发中心。

在今天的论坛上，台积电披露了3nm工艺的相关信息。他们表示3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗降低25%到30%，台积电方面承诺3nm工艺的晶体管密度将是7nm的3倍，5nm工艺的1.7倍。
台积电的3nm工艺，已经完成了基本的技术研发，剩下需要解决的只是建厂和产能方面的问题。而台积电也没有停下脚步，已经开始进行2nm工艺的研发工作。2nm对于台积电来说将是一个重要的技术节点，因为台积电将在2nm工艺上采用GAA工艺。
台积电高级副总裁Kevin Zhang在预先录制的一段视频中表示，新的台湾研发中心将运营一条先进生产线，将投入8000名工程师，攻克2nm工艺的技术难关。